AMD首款2nm芯片EPYC“Venice”采用台积电N2节点制造，性能提升明显
（图片来源：AMD）
AMD 周一晚些时候宣布了其首款 2nm 级芯片流片成功，也就是其下一代 EPYC“Venice”处理器的核心复杂芯片 （CCD），预计将于明年推出。Venice CCD将 是业界首款采用台积电 N2 工艺技术流片的 HPC CPU 设计，凸显了 AMD 激进的路线图和台积电生产节点的准备情况。这可能会重新定义 AMD 在高性能计算 （HPC） 和数据中心市场的主导地位。与台积电的合作，加上积极的供应链多元化，使 AMD 能够站稳900 亿美元的服务器 CPU 市场，同时应对地缘政治和竞争阻力。
AMD 的下一代 EPYC“Venice”预计将基于该公司的 Zen 6 微架构，预计将于 2026 年某个时候推出。处理器将依赖于采用 TSMC 的 N2（2nm 级）制造工艺制造的 CCD，因此现在是该公司从晶圆厂推出第一批 Venice CCD 的时候了。然而，AMD 已经拥有可以谈论的芯片这一事实凸显了 AMD 和台积电之间的长期合作，以及共同努力在台积电迄今为止开发的最先进的工艺技术之一上构建芯片的高潮。
目前，AMD 没有讨论其 EPYC“Venice”处理器或 CCD 的细节，尽管该公司的新闻稿声称该芯片已经流片并启动，这意味着 CCD 已成功启动并通过基本功能测试和验证。
技术突破：功效效率和性能提升AMD 的 Venice 处理器是其下一代 EPYC 系列的一部分，利用了 TSMC 的 N2 节点，这对于以前的 3nm （N3） 工艺是一个飞跃。N2 节点采用全环绕栅极 （GAA） 晶体管，与 N3 相比，性能提高了 15% 或功率效率提高了 30%。在数据中心占全球用电量的 1% 且需要不断提高效率的时代，这一点至关重要。
技术规格令人震惊：
- 密度缩放：改进超过 1.15 倍，每个芯片允许更多晶体管。
- 互连创新：无屏障钨栅触点将电阻降低了 55%，在环形振荡器测试中实现了 6% 的性能提升。
- 材料科学：先进的 EUV 光刻和优化的图案化技术将特征缩小到近原子尺度。
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NVDA Total Revenue (FY) YoY
AMD Total Revenue (FY) YoY
战略合作伙伴：TSMC 和 Arizona GambitAMD 与 TSMC 的合作不仅仅是交易性的，而且是设计和制造的深度协同优化。Venice 芯片在台积电位于亚利桑那州的新制造厂 （Fab 21） 进行流片和验证，该工厂由美国政府补贴支持，价值 400 亿美元。此举解决了与中国台湾制造业主导地位相关的地缘政治风险，并迎合了像 Google Cloud 这样的超大规模企业，该公司已经承诺部署第 5 代 EPYC 处理器。
亚利桑那州工厂的作用至关重要。到 2026 年，它将为商业和美国政府项目生产芯片，减少对中国台湾的依赖并增强 AMD 的供应链弹性。台积电首席执行官魏哲家强调了 N2 节点的良率提高，这对于经济高效的大规模生产至关重要。
财务实力和市场势头AMD首席执行官苏姿丰表示：“多年来，台积电一直是台积电的重要合作伙伴，我们与台积电的研发和制造团队进行了深入合作，使AMD能够始终如一地提供领先的产品，突破高性能计算的极限。成为台积电 N2 工艺和台积电亚利桑那州 Fab 21 的 HPC 主要客户，是我们如何密切合作以推动创新和提供先进技术为计算的未来提供动力的一个很好的例子。”
台积电的 N2 是该代工厂首个依赖全环绕栅极 （GAA） 纳米片晶体管的工艺技术。该公司预计其制造技术将在恒定电压下将功耗降低 24% 至 35% 或性能提高 15%，同时与上一代 N3（3nm 级）相比，晶体管密度提高 1.15 倍。这些收益主要是由新型晶体管和 N2 NanoFlex 设计技术协同优化框架推动的。
AMD 宣布这一消息之前，其主要竞争对手英特尔将其基于其 18A 制造技术制造的下一代至强“Clearwater Forest”处理器（将与台积电的 N2 竞争）推迟到明年上半年发布。
另外，AMD 宣布已在亚利桑那州凤凰城附近的 Fab 21 工厂成功验证了台积电生产的第 5 代 EPYC 处理器的芯片。因此，该公司的一些当前一代 EPYC CPU 现在可以在美国生产。
“我们很荣幸 AMD 成为我们先进的 2nm （N2） 工艺技术和台积电亚利桑那州晶圆厂的领先 HPC 客户，”台积电首席执行官兼董事长魏哲家说。“通过合作，我们正在推动重大的技术扩展，从而为高性能硅带来更好的性能、能效和良率。我们期待继续与 AMD 密切合作，以实现下一个计算时代。”
结论：AMD 的 N2 里程碑是一个技术里程碑，但它的真正考验是在 2026 年威尼斯的商业发布。处理器的实际性能和采用率将决定 AMD 能否维持其增长轨迹。
当然，由于该芯片是在台积电美国工厂流片的，这对其在中国大陆的销售会有影响，但不会太大。
2015 年美国商务部以 “用于核模拟爆炸，危害美国国家安全和外交利益” 为由，禁止向中国国家超级计算长沙中心、国家超级计算广州中心、国家超级计算天津中心和国防科技大学出售 “至强”（XEON）芯片。目前，这方面的限制仍在持续且有进一步加强的趋势，具体表现如下：
持续限制特定芯片出口：美国自 2015 年开始对中国实施半导体出口限制后，在 2021 年、2022 年又多次扩展限制。2023 年 10 月 17 日，美国商务部更新并扩大了出口管制范围，旨在阻止中国获取先进的计算机芯片及制造设备，加强了对先进计算、超级计算及半导体制造领域关键技术和设备的出口管制。其中包括对芯片性能参数等方面设置限制，如增加了 “性能密度参数” 的规定，防止通过购买大量较小数据中心 AI 芯片组合来达到受限芯片的同等性能。
扩大实体清单范围：2024 年 12 月 2 日发布的措施将 136 家中国实体增列至出口管制实体清单，其中不少涉及半导体行业。虽然没有明确提及这 4 家超算机构，但这种扩大化的限制举措，使得相关机构在获取国外芯片及技术支持方面面临更严峻的外部环境。
潜在的全面 AI 芯片禁令：2025 年有报道称，美国特朗普政府正考虑实施新一轮针对中国的芯片出口限制措施。计划全面禁止所有 AI 芯片向中国出口，包括英伟达为中国市场特别设计的 H20/B20 型号，还可能扩大至 28 纳米以上的传统芯片。并且准备关闭 “中国市场特供版” 芯片的通道，同时实施动态更新的出口管制清单，将每年 10 月动态调整清单，自动纳入新推出的 “合规” 芯片进入禁令范围。
不过，美国的限制措施虽给中国相关产业带来一定压力，但也促使中国加快自主研发和国产替代的步伐。中国在超级计算机芯片及相关技术领域已取得了不少进展，如 “神威・太湖之光” 超级计算机采用了国产处理器，逐步降低对国外芯片的依赖。
另外，自禁令之后，英特尔其实一直都在中国大陆正常销售其至强处理器。
